Feldeffekt Transistoren aus Graphen Nanoribbons

Neue Ergebnisse hinsichtlich Graphen Nanoribbons werden im Paper „Field-Effect Transistors Based on Networks of Highly Aligned, Chemically Synthesized N = 7 Armchair Graphene Nanoribbons“ präsentiert, einer Zusammenarbeit zwischen AMO, der RWTH Aachen, der Universität Köln sowie der Universität von Kalifornien, Berkeley. Die Arbeit würde kürzlich im ACS Applied Materials Interfaces publiziert.
Die Forscher der AMO und ihre Kollegen demonstrierten experimentell Back Gate Transistoren, hergestellt aus atomar präzisen und hochausgerichteten 7–ANGRs, die mittels einer Bottom-up Methodik synthetisiert wurden. Der großflächige Transferprozess verspricht eine skalierbare Bauteilfabrikation mit atomar präzisen Nanoribbons.
Die Kanallänge der Feldeffekttransistoren (FET) von 1µm entspricht ungefähr der 30-fachen Länge eines einzelnen Nanoribbons, die 30 bis 40 nm beträgt. Nichtsdestotrotz ermöglicht das Bauteil ein maximales Stromverhältnis ION/IOFF von 87,5. Es ist davon auszugehen, dass der elektrische Transport dank der dichten Anordnung der synthetischen GNRs deutlich über der Perkolationsschwelle stattfindet.
Diese Forschungsarbeiten sind das Resultat verschiedener geförderter Forschungsprojekte, darunter zwei ERC Projekte, 648589 „SUPER-2D““ und 307311 „InteGraDe“, Projekte der Deutschen Forschungsgesellschaft (DFG GR 3708/2-1 und LE 2440/2-1) sowie das Europäische Regionalfonds Projekt“HEA2D” (NW-1-1-036b).
Quelle: https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.8b01116