Ein CMOS-kompatibles plasmo-photonisches Mach-Zehnder-Interferometer
Forscher der AMO GmbH und Kollegen aus dem Projekt PLASMOfab haben ein CMOS-kompatibles plasmo-photonisches Mach-Zehnder-Interferometer auf der Basis von Aluminium- und Si3N4-Wellenleitern demonstriert.
Schematische Darstellung des plasmo-photonischen Mach-Zender-Interferometers
Die Bulk-Empfindlichkeit des Geräts ist die höchste unter allen plasmo-photonischen Gegenstücken (4764 nm/RIU) und konnte durch Optimierung der Designparameter des Interferometers weiter gesteigert werden. Darüber hinaus entspricht das Gerät den CMOS-Fertigungsstandards, wodurch es für die Serienfertigung geeignet ist.
Dieses Ergebnis wurde auf Optics Express veröffentlicht und ist Teil der größeren Anstrengungen des PLASMOfab-Projekts zur Entwicklung CMOS-kompatibler Plasmonen in einem generischen planaren Integrationsprozess als Mittel zur Konsolidierung der photonischen und elektronischen Integration.
Bibliographische Angaben:
“Ultra-sensitive refractive index sensor using CMOS plasmonic transducers on silicon photonic interferometric platform”
A. Manolis, E. Chatzianagnostou, G. Dabos, D. Ketzaki, B. Chmielak, A. L. Giesecke, C. Porschatis, P. J. Cegielski, S. Suckow, L. Markey, J.-C. Weeber, A. Dereux, S. Schrittwieser, R. Heer, N. Pleros, and D. Tsiokos, Opt. Express 28, 20992-21001 (2020).
https://doi.org/10.1364/OE.383435
Kontakt
Dr. Anna Lena Giesecke
giesecke@amo.de
