Ein skalierbarer Ansatz für MoS2-Feldeffekttransistoren mit niedrigem Kontaktwiderstand
Forscherinnen und Forscher der AMO GmbH und des Lehrstuhls für Elektronische Bauelemente der RWTH Aachen haben einen skalierbaren Ansatz zur Realisierung von Feldeffekttransistoren auf der Basis von zweidimensionalem Molybdändisulfid (MoS2) mit niedrigem Kontaktwiderstand (ca. 9 kΩ-µm) und hohem Ein-/Ausschaltverhältnis von 108 experimentell demonstriert. Der Ansatz basiert auf lateralen Heterostrukturen aus MoS2 und einlagigem Graphen – […]