Einfluss von Luftfeuchtigkeit auf das resistive Schaltverhalten hexagonalen Bornitrid-basierter Memristoren

Wir freuen uns, die neueste Forschung von Lukas Völkel und seinen Mitautor:innen vom Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (ELD), dem Forschungszentrum Jülich, AIXTRON SE und der AMO GmbH vorzustellen – kürzlich veröffentlicht in npj 2D Materials and Applications.

🔬 Die Studie untersucht den Einfluss von Luftfeuchtigkeit auf das resistive Schaltverhalten von Memristoren auf Basis von hexagonalem Bornitrid (h-BN). Die Bauelemente zeigten unter Umgebungsbedingungen ein stabiles Schaltverhalten, versagten jedoch interessanterweise im Vakuum.

💡 Durch umfangreiche Messungen und Simulationen identifizierte das Team die entscheidende Rolle von Wassermolekülen bei der elektrochemischen Filamentbildung – einem zentralen Prozess für das resistive Schalten. Diese Entdeckung ist besonders relevant, da Computerchips in der Regel gekapselt werden, um sie vor Umwelteinflüssen zu schützen.

📈 Laufende und zukünftige Arbeiten konzentrieren sich auf: – Das präzise Verständnis der Rolle der relativen Luftfeuchtigkeit beim Schaltverhalten
– Die Bestimmung des optimalen Wassergehalts für den Betrieb der Bauelemente
– Die Erforschung alternativer Materialstapel, um Schaltvorgänge auch in trockener oder gekapselter Umgebung zu ermöglichen

🔗 Der vollständige Artikel ist als Open Access hier verfügbar.

Herzlichen Glückwunsch an: Lukas Völkel, Rana Walied Ahmad, Alana Bestaeva, Dennis Braun, Sofia Cruces, Jimin Lee, Sergej Pasko, Simonas Krotkus, Michael Heuken, Stephan Menzel & Max Lemme