Volatiles und nichtvolatiles resistives Schaltverhalten in lateralen memristiven Bauelementen auf Basis von 2D-Molybdändisulfid

 

🎉 Herzlichen Glückwunsch an Sofia Cruces (ELD) zur Veröffentlichung ihres neuesten Artikels in Nano Letters von ACS Publications:
„Volatiles und nichtvolatiles resistives Schaltverhalten in lateralen memristiven Bauelementen auf Basis von 2D-Molybdändisulfid“

Diese spannende Arbeit untersucht das gleichzeitige Auftreten von volatilem und nichtvolatilem resistivem Schaltverhalten in lateralen MoS₂-basierten Memristoren mit Silber-Elektroden. Die Bauelemente arbeiten bei niedrigen Schaltspannungen (~0,16 V und ~0,52 V) und zeigen wichtige synaptische Eigenschaften wie paired-pulse facilitation sowie kurz- und langfristige Plastizität.

Mithilfe von in-situ-Transmissionselektronenmikroskopie konnte das Team die laterale Migration von Silberionen als Schaltmechanismus beobachten – unterstützt durch ein makroskopisches, semiklassisches Elektronentransportmodell.

👏 Co-Autoren:

Mohit Ganeriwala, Jimin Lee, Ke Ran, Janghyun Jo, Lukas Völkel, Dennis Braun, Bárbara Canto, Enrique G. Marín, Holger Kalisch, Michael Heuken, Andrei Vescan, Rafal Dunin-Borkowski, Joachim Mayer, Andres Godoy, Alwin Daus und Max Lemme

💡 Gefördert durch:

Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) im Rahmen der Projekte NEUROTEC 2 und NeuroSys Cluster, die EU im Rahmen von Horizon Europe durch das Projekt ENERGIZE, die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) im Rahmen des Emmy Noether-Programms, sowie die spanische Regierung durch die Projekte RECAMBIO, ADAGE, FlexPowHar, gefördert durch MCIN/AEI/10.13039/501100011033 und die Europäische Union NextGenerationEU/PRTR.

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