Neue Veröffentlichung zu MoS₂ Memristoren in Advanced Electronic Materials
Wir freuen uns, unsere aktuelle Veröffentlichung in der Fachzeitschrift Advanced Electronic Materials vorzustellen. Unter dem Titel „Influence of Top Electrode Metal on Resistive Switching in Multilayer MOCVD MoS₂ Memristors“ wurde die Arbeit von unserem Kollegen Dennis Braun gemeinsam mit einem starken internationalen Autorenteam veröffentlicht.
In der Studie wird systematisch untersucht, wie sich unterschiedliche Elektrodenmaterialien wie Palladium, Nickel und Aluminium sowie verschiedene Abscheidungsmethoden auf das Schaltverhalten von MoS₂ basierten Memristoren auswirken. Die Ergebnisse zeigen deutlich, dass sowohl die Materialwahl als auch der Herstellungsprozess einen entscheidenden Einfluss auf das resistive Schaltverhalten der Bauelemente haben.
Die Untersuchungen deuten darauf hin, dass die zugrunde liegenden Mechanismen auf der Bildung leitfähiger Filamente durch elektrochemische Metallisierung basieren. Besonders hervorzuheben ist die Performance von Aluminium Elektroden, die bei Verwendung von Sputterverfahren Vorteile zeigen, da unerwünschte Oxidbildung vermieden wird. Damit erweist sich Aluminium als ein vielversprechendes aktives Elektrodenmaterial für diese Bauteilarchitektur.
Die Arbeit ist das Ergebnis einer engen Zusammenarbeit zwischen der RWTH Aachen University, der AMO GmbH und der AIXTRON SE und unterstreicht die Bedeutung interdisziplinärer Kooperationen in der Entwicklung neuer elektronischer Materialien und Bauelemente.
Wir gratulieren Dennis Braun und allen beteiligten Autorinnen und Autoren herzlich zu dieser erfolgreichen Veröffentlichung.
Unser besonderer Dank gilt zudem den Fördergebern, darunter dem Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt im Rahmen der Projekte NeuroTec sowie des NeuroSys Clusters sowie der Europäischen Union im Rahmen des Horizon Europe Programms über die Chips Joint Undertaking im Projekt ENERGIZE.
