Leitungs- und Schaltmechanismen in Bornitrid-Schwellenwert-Memristoren mit Nickelelektroden
Forscher der RWTH Aachen, der AMO GmbH und des Forschungszentrums Jülich haben eine detaillierte Untersuchung von hBN-basierten Schwellenwert-Memristoren mit Nickelelektroden durchgeführt. Nach der Analyse von temperaturabhängigen Transportmessungen und hochauflösenden TEM-Bildern schlagen sie die Bildung und das Zurückziehen von Nickelfilamenten entlang von Bordefekten in der h-BN-Schicht als resistiven Schaltmechanismus vor. Die Studie wurde in Advanced Functional […]