Intermediärer Widerstandszustand in wafer‑skaligen vertikalen MoS₂‑Memristoren durch laterales Silberfilament‑Wachstum für Anwendungen als künstliche Synapse
AMO GmbH freut sich über die Veröffentlichung einer neuen wissenschaftlichen Arbeit in Advanced Functional Materials. In der Studie mit dem Titel „Intermediate Resistive State in Wafer-Scale Vertical MoS₂ Memristors Through Lateral Silver Filament Growth for Artificial Synapse Applications“, angeführt von Yuan Fa, präsentiert das Forschungsteam einen bedeutenden Fortschritt in der Entwicklung zweidimensionaler Memristoren für zukünftige […]












