Ein skalierbarer Ansatz für MoS2-Feldeffekttransistoren mit niedrigem Kontaktwiderstand14. Mai 2024Forscherinnen und Forscher der AMO GmbH und des Lehrstuhls für Elektronische Bauelemente der RWTH Aachen haben einen skalierbaren… https://www.amo.de/wp-content/uploads/2024/05/paper-schneider-device-schematics.png 287 442 Dr. Federica Haupt https://www.amo.de/wp-content/uploads/2021/03/AMO_Logo.jpg Dr. Federica Haupt2024-05-14 10:54:402024-05-14 11:03:04Ein skalierbarer Ansatz für MoS2-Feldeffekttransistoren mit niedrigem Kontaktwiderstand