AMO

Reinraumtechnologie

AMO betreibt einen Reinraum der Klasse 10 bis 1000 mit einer Gesamtfläche von 400 m², das Nanolab AMICA. Hier werden hochentwickelte Produktionsanlagen für die Halbleitertechnologie mit hoher Flexibitätit betrieben, um den Anforderungen einer qualitativ hochwertigen Nanofabrikation, einem schnellen Prozesswechsel und unkonventionellen Lösungen gerecht zu werden.

AMO ist grundsätzlich ein F&E Unternehmen mit verschiedenen Forschungs- und Entwicklungsprojekten auf vielen diversen Forschungsfeldern und bietet eine hohe Flexibilität für Kundenaufträge. Dies basiert auf 20-jähriger Erfahrung im Bereich der Mikro- und Nanotechnologie. Als Ergebnis sind wir nicht als große Nanofabrik aufgestellt. AMO ist vielmehr so organisiert, dass für alle Kunden und Partner die bestmögliche individuelle Lösung gefunden werden kann, bei niedriger Durchlaufzeit und an den Bedürfnissen des Kunden angepassten Losgrößen. Dabei liegt die größte Aufmerksamkeit auf der Zufriedenheit unserer Kunden.

Der Geschäftsbetrieb der AMO ist u.a. fokussiert auf die folgenden Dienstleistungen:

  • Herstellung nanophotonischer Komponenten (Prototypen und Kleinserienproduktion)
  • Nanostrukturierungs-Leistungen
  • Reinraum-Leistungen

Die gesamten hier beschriebenen Anlagen werden im Rahmen unserer Dienstleistungsparte interessierten Kunden und Partnern zur Verfügung gestellt. Zögern Sie nicht uns direkt anzusprechen, wenn Sie an einem konkreten Angebot für eine kundenspezifische Lösung interessiert sind. Durch Kombination aller dazu notwendigen Werkzeuge und Prozesse werden wir Ihre konkreten Wünsche erfüllen können.

Nanostrukturierung

Die Untersuchung der möglichen Potentiale der Nanotechnologie für die Herstellung neuer funktionaler Komponenten hängt wesentlich von der Verfügbarkeit der angewandten Lithographiemethoden und ihrer kontinuierlichen Verbesserung ab. AMICA ist als Nanolithographie-Center konzipiert. Die etablierte Lithographietechnologie wurde so ausgerichtet, dass Anwendungen mit ihren speziellen Parametern, wie minimale Strukturgröße, Auflösungsbereich und Designflexibilität, erfüllt werden können. Heute ist AMO in der Lage eine Große Anzahl an Lithographietechnologien, wie im Folgenden kurz dargestellt, anzubieten:


Lithographie

  • Vistec EBPG 5200 e-beam System:CR2.tif
    • 50/100 kV
    • sub 10 nm Auflösung
    • Waferstücke von 10×10 mm² bis zu 8″ Wafern
  • Canon FPA 3000 i5r i-Line Stepper mit 0,5 μm Auflösung
  • EVG 420 6″ halb-automatischer CR3.tifMaskaligner
  • EVG 150: 4″- 8″ automatischer Resist Coater und Entwickler
  • Süss MA8 Gen3 SCIL 2″-8″ UV-Nanoimprint Lithographie
  • EVG 770 4″- 8″ UV-Nanoimprint Step&Repeat Lithographie
  • EVG 620 Soft UV Nanoimprint Prototyp:
    4″- 6″ flexible Template Größe, Auflösung unter 50 nm
  • 2 experimentelle Interferenzlithographie Systeme:
    180 nm – 2.5 μm Pitch, Substrate bis zu 8″, stitching frei

Ätzanlagen

CR4Die hoch entwickelte Nanolithographie ist eingebettet in die CMOS kompatible Strukturübertragung für Siliziumsubstrate. Die gesamte Prozesskette wird kontinuierlich verbessert und angepasst, um den visionären Anforderungen des sich stetig ändernden Marktes gerecht werden zu können.

  • Oxford PlasmaLab 100:
    • automatisches 3 Kammer-System, Substrate bis zu 8″
    • Chlor, Fluor und Brom basierte Chemie
  • Tepla Semi 300:
    • Mikrowellen Plasma Verascher, batch und single Wafer-Prozesse
    • O2 und CF4 Prozesse

Deposition

Zur Deposition hoch qualitativer dünner Filme, Dielektrika und Metalle, bietet die AMO eine große Bandbreite verschiedener Techniken an, die die Dicke der deponierten oder gewachsenen Materialschicht von mehreren Angstrom bis zu einigen Mikrometern ermöglicht.


CVD (Chemische Gasphasenabscheidung)

Das Substrat wird den gasförmigen Edukten ausgesetzt, welche zerfallen und auf der Substratoberfläche zum gewünschten Reaktionsprodukt reagieren. Durch die Verwendung von Niederdruckprozessesn (unter Atmosphärendruck) werden unerwünschte Reaktionen in der Gasphase reduziert und die Schichtdickenuniformität verbessert.

  • Centrotherm 6″ LPCVD Öfen:
    • Poly-Silizium
    • Silizium-Nitrid
    • LTO (Niedertemperatur SiO2)

Atomlagenabscheidung

Die adäquate Lösung für sehr dünne und konforme Schichten bei gleichzeitig perfekter Kontrolle der Schichtdicke stellt die Atomlagenabscheidung (ALD) dar. Die involvierten Precursoren reagieren sequentiell in slebstlimitierender Art und Weise miteinander und bilden auf der Oberfläche die gewünschte Schicht.

  • 2 Oxford FlexAL Plasma unterstützte ALD Anlagen:
    • Substrate bis zu 8″
    • Materialien: AlN, Al2O3, TaN, TiN

Sputtern / Elektronenstrahlverdampfung

Im Gegensatz zu den oben genannten CVD-Verfahren stellen die Verfahren des Sputterns und CR5der Verdampfung PVD-Verfahren (physical vapour deposition) dar. Der Materialdampf wird bei diesen physikalisch erzeugt, entweder via Stoßionisation (Sputtern) oder über Heizen (Verdampfung). Der Materialdampf kondensiert auf der Substratoberfläche und bildet die gewünschte Schicht.

  • Von Ardenne CS730 Cluster sputter system:
    • 6″ DC und RF
    • Materialien: W, Ni, Ti, TiN, Al, AlSi, AlCr, SiO2, Ta2O5, Al2O3, HfO2, etc.
  • Pfeiffer Vacuum Classic 580:
    • 6″ e-beam und resistiv beheizte Verdampfung
    • Materialien: Al, Cr, SiO2, Ti, Ta2O5, etc.

Ofenanlagen

AMO verfügt über verschiedene Ofenanlagen. Diese werden in verschiedenen Stadien des Prozessablaufs für hochqualitative mikro- und nanoelektronische Bauelemente eingesetzt, dies reicht von gewachsenen hochqualitativen Siliziumdioxiden bis zu Hochtemperatur-Annealings.

  • Vier 6″ – 8″ Centrotherm-Öfen:CR6
    • Oxidation (Trocken- und Feucht)
    • POCl3-Diffusion
    • Annealing
  • Jipelec JetFirst:
    • 6″ Rapid Thermal Annealing system

Nass-Chemie

Prozesse der Nass-Chemie werden in speziellen Bereichen des Reinraums durchgeführt, die auch mit Gelblicht ausgestattet sind, um die Handhabung von Lacken in der Lithographie zu ermöglichen. Um ein Maximum an Flexibilität der prozessierbaren Substrate CR7zu erlauben, sind Nassbänke und Werkzeuge sowohl für die Verarbeitung  von Waferstücken, einzelnen  Wafern als auch von Wafer-Kassetten vorhanden.

  • ARIAS Nassbänke:
    • Reinigung und Prozessierung von Einzel-Wafern und Wafer-Kassetten
  • SCFluids superkritische Trocknung:
    • CO2, halb-automatisch, bis 6″ Substrate

Messtechnik

Um die Prozesskontrolle und die Bauelement-Charakterisierung zu gewährleisten, verfügt AMO über verschiedene Messtechnik-Anlagen zur Messung der verschiedenen Parameter während des Prozesses sowie am fertigen Bauelement. Typische Parameter in der Prozesskontrolle sind z.B. die Schichtdicke, Rauigkeit, Schichtaufbau, laterale Dimensionen und Distanzen.

  • Zeiss Supra 60 VP:
    • EDX hoch auflösendes REM mit automatisiertem CD Kontroll-ModulSilizium_Master_Stempel
    • Substrate bis zu 8″
  • Veeco (DI) Dimension 3100 SPM:
    • hoch auflösendes STM, AFM, MFM
    • Substrate bis zu 6″
  • Veeco DekTak³ST surface profiler
  • Leica INM 100 and INM 300: optische Mikroskope, Substrate bis zu 6″
  • Philips PQ Ruby Ellipsometer, Substrate bis zu 8″
  • J.A. Woollam spektroskopisches Ellipsometer (M-2000U 245-1000nm)

Um sowohl die elektrischen als auch die optischen Eigenschaften der Bauelemente überprüfen zu können, biete AMO Prüfeinrichtungen zur Erfüllung dieser Anforderungen. Im Folgenden finden Sie eine Übersicht der vorhandenen Messmöglichkeiten:


Elektrische Prüfung

  • High-end Parameteranalysator zur DC Kleinsignal-Analyse von nanoelektronischen Bauteilen
  • Cascade Microtech mit teilautomatischer Prober Station
  • Agilent Präzisions-Impedanz-Analysator (4294A)
  • Agilent Halbleiter-Parameter-Analysator (4156B)
  • Agilent pA-meter (4140B)
  • Agilent Präzisions-LCR-meter (4284A)

Optische Prüfung

  • Testeinrichtung für siliziumphotonische BauelementeCR8
    • @1300 nm and 1550 nm
    • einstellbarer laser
    • Faser- & „butt“-gekoppelt