AMO

Interferenzlithographie Gitter

IL

Interferenzlithographie ist eine optische Nanolithographie-Methode zur Herstellung ausgedehnter, periodischer Nanostrukturen. Kritische Größen unter 50 nm können mit dieser Technologie realisiert werden. Bei AMO sind derzeit zwei Interferenzlithographie-Systeme installiert, ein Setup für ausgedehnte, hoch qualitative Gitter mit fester Periode, sowie ein flexibles System für schnelle Prototypenentwicklung. Wir bieten die Herstellung von Gittern auf Silizium, Siliziumdioxid und anderen Substraten an, immer mit nach Kundenwünschen maßgeschneiderter Periode, Ätztiefe und Größe.

Großflächige holografische Gitter und diffraktive optische Elemente

Die Belichtung von Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 8“ (200 mm) benötigt einen großflächigen optischen Tisch (2,5 m x 4 m), robuste optische Komponenten und eine aktive Randzonen-Stabilisierung, um unvermeidliche Vibrationen und Rauschen, verantwortlich für Phasenmodulation im Interferometer, zu kompensieren. AMO hat diese Probleme gelöst und betreibt eine 266 nm Strahllinie mit integriertem Randzonen-Stabilisationssystem, basierend auf einem digitalen PID Regler von AMOtronics.

Langwährende Erfahrung

Seit über 15 Jahren hat AMO dadurch sein Produkt Portfolio entwickeln und erweitern können, diverse Standardstrukturen sind kommerziell erhältlich. Darüber hinaus bietet AMO Prototypenlösungen an, beispielsweise für hoch effiziente Pulskompressionsgitter.

Weitere Details zu allen oben genannten Punkten können in den entsprechenden FactSheets „Interferenzlithographie“ und „Nanogratings“ in der Seitenleiste auf der rechten Seite gefunden werden. Den Lagerbestand an erhältlichen Gittern ist ebenfalls dort zu finden.

AMO’s Produkt-Portfolio im Bereich Interferenzlithographie umfasst derzeit die folgenden Bereiche:


Standard Silizium Gitter

  • Großflächige, kohärente und stitching freie Gitter
  • Hohe Periodentreue und geringe Phasenverzerrung
  • Rechteckige Kantenprofile durch Verwendung chemisch verstärkter DUV Photolacke in Kombination mit anisotropischen RIE Ätzprozessen möglich
  • Eigenentwickeltes Phasenstabilisierungssystem ermöglicht die Herstellung von kontrastreichen Gittern
  • Prozessoptimierter Positiv- und Negativresist bieten für die Realisierung jedes Pattern eine hohe Flexibilität
  • Die Verwendung einer passenden BARC-Schicht (bottom antireflective coating) minimiert das Auftreten stehender Wellen und erhöht somit die Maßhaltigkeit der Strukturdimensionen
Substratmaterial Silizium (100)
Substratdicke (500µm – 650µm) ± 50µm
Substratgröße 4”, 6”, 8” sowie recheckiger Ausschnitt daraus
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 150nm – 180nm, 250nm- 2500nm
Ätztiefe Bis zu 1000nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive Fläche Abhängig von Periode und Gittertyp
P1040086  4”, 6” & 8” vollflächig lithographiert 030901250nm Periode, lineares Gitter
m210604o450nm Periode, 2-D Säulen-Gitter m020704m550nm Periode, 2-D pseudohex Löcher

Nanoimprint Master + Templates

IL Master für Soft UV-NIL

  • Master zur Herstellung von PDMS- oder Polymerstempeln
  • Stempel sind kompatibel sowohl mit Suess MA8 als auch mit EV 620 der EV Group
  • Auf Kundenwunsch kann der Master mit einer teflonähnlichen Antihaftbeschichtung versehen werden
Substratmaterial Silizium (100)
Substratdicke (500µm – 650µm) ± 50µm
Substratgröße 4”, 6”, 8” sowie recheckiger Ausschnitt daraus
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 150nm – 180nm, 250nm- 2500nm
Ätztiefe Bis zu 1000nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive Fläche Abhängig von Periode und Gittertyp
M261101dMaster für plasmonische Strukturen mit 2 Resonanzfrequenzen AFMMaster für plasmonische Strukturen mit 2 Resonanzfrequenzen
m060902fMaster mit Säulenstrukturen M050501AMaster mit photonischen Kristallstrukturen

 

IL Templates für Hard UV-NIL

Substratmaterial Quarzglas
Substratdicke 500µm – 6,35mm
Substratgröße Bis zu 6“ @ 500µm Dicke, 1-1.5“ @ 6,35mm Dicke
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 250nm- 2500nm
Ätztiefe Bis zu 500nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive Fläche Abhängig von Periode und Gittertyp
uv nil800nm Säulengitter, 4“ SiO2 wafer SSMM2200nm lineares Gitter, 1” SiO2 Probe
Hard master600nm lineares Gitter, 1,5“ SiO2

Kundenspezifische Gitter

Verschiedene Dielektrika (SiO2, HfO2, Ta2O5) auf Silizium oder Quarz mit Gitterstrukturierung m020301aTa2O5 top layer mit 580nm Gitter
Beschichtung auf dem Gitter zur Erhöhung der Beugungseffizienz m051101_o300nm Gitter aus Quarz beschichtet mit 80nm Al
Antireflexionsschicht für Galvanoabformung M140605eMottenaugenstruktur
Gitter mit hohem Aspektverhältnis test2Gitter mit 500nm Periode
Mix and match zwischen Interferenzlithographie und Elektronenstrahllithographie 40K_010MWellenleiter in 500 nm Säulengitter
SiN Spacer Prozess für sub 10nm IL Strukturen PROBE2H

Dienstleistungen

  • Defektuntersuchung KLA 2139 für strukturierte Substrate
  • REM- und AFM-Untersuchung
  • Absolute Periodenmessung mittels Beugungsmessplatz