Interferenzlithographie Gitter
Interferenzlithographie ist eine optische Nanolithographie-Methode zur Herstellung ausgedehnter, periodischer Nanostrukturen. Kritische Größen unter 50 nm können mit dieser Technologie realisiert werden. Bei AMO sind derzeit zwei Interferenzlithographie-Systeme installiert, ein Setup für ausgedehnte, hoch qualitative Gitter mit fester Periode, sowie ein flexibles System für schnelle Prototypenentwicklung. Wir bieten die Herstellung von Gittern auf Silizium, Siliziumdioxid und anderen Substraten an, immer mit nach Kundenwünschen maßgeschneiderter Periode, Ätztiefe und Größe.
Großflächige holografische Gitter und diffraktive optische Elemente
Die Belichtung von Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 8“ (200 mm) benötigt einen großflächigen optischen Tisch (2,5 m x 4 m), robuste optische Komponenten und eine aktive Randzonen-Stabilisierung, um unvermeidliche Vibrationen und Rauschen, verantwortlich für Phasenmodulation im Interferometer, zu kompensieren. AMO hat diese Probleme gelöst und betreibt eine 266 nm Strahllinie mit integriertem Randzonen-Stabilisationssystem, basierend auf einem digitalen PID Regler von AMOtronics.
Langwährende Erfahrung
Seit über 15 Jahren hat AMO dadurch sein Produkt Portfolio entwickeln und erweitern können, diverse Standardstrukturen sind kommerziell erhältlich. Darüber hinaus bietet AMO Prototypenlösungen an, beispielsweise für hoch effiziente Pulskompressionsgitter.
Weitere Details zu allen oben genannten Punkten können in den entsprechenden FactSheets „Interferenzlithographie“ und „Nanogratings“ in der Seitenleiste auf der rechten Seite gefunden werden. Den Lagerbestand an erhältlichen Gittern ist ebenfalls dort zu finden.
AMO’s Produkt-Portfolio im Bereich Interferenzlithographie umfasst derzeit die folgenden Bereiche:
Standard Silizium Gitter
- Großflächige, kohärente und stitching freie Gitter
- Hohe Periodentreue und geringe Phasenverzerrung
- Rechteckige Kantenprofile durch Verwendung chemisch verstärkter DUV Photolacke in Kombination mit anisotropischen RIE Ätzprozessen möglich
- Eigenentwickeltes Phasenstabilisierungssystem ermöglicht die Herstellung von kontrastreichen Gittern
- Prozessoptimierter Positiv- und Negativresist bieten für die Realisierung jedes Pattern eine hohe Flexibilität
- Die Verwendung einer passenden BARC-Schicht (bottom antireflective coating) minimiert das Auftreten stehender Wellen und erhöht somit die Maßhaltigkeit der Strukturdimensionen
Substratmaterial | Silizium (100) |
Substratdicke | (500µm – 650µm) ± 50µm |
Substratgröße | 4”, 6”, 8” sowie recheckiger Ausschnitt daraus |
Gittertyp | Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster |
Periode | 150nm – 180nm, 250nm- 2500nm |
Ätztiefe | Bis zu 1000nm (abhängig von Periode und Gittertyp) |
Aktive Fläche | Abhängig von Periode und Gittertyp |
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Nanoimprint Master + Templates
IL Master für Soft UV-NIL
- Master zur Herstellung von PDMS- oder Polymerstempeln
- Stempel sind kompatibel sowohl mit Suess MA8 als auch mit EV 620 der EV Group
- Auf Kundenwunsch kann der Master mit einer teflonähnlichen Antihaftbeschichtung versehen werden
Substratmaterial | Silizium (100) |
Substratdicke | (500µm – 650µm) ± 50µm |
Substratgröße | 4”, 6”, 8” sowie recheckiger Ausschnitt daraus |
Gittertyp | Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster |
Periode | 150nm – 180nm, 250nm- 2500nm |
Ätztiefe | Bis zu 1000nm (abhängig von Periode und Gittertyp) |
Aktive Fläche | Abhängig von Periode und Gittertyp |
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IL Templates für Hard UV-NIL
Substratmaterial | Quarzglas |
Substratdicke | 500µm – 6,35mm |
Substratgröße | Bis zu 6“ @ 500µm Dicke, 1-1.5“ @ 6,35mm Dicke |
Gittertyp | Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster |
Periode | 250nm- 2500nm |
Ätztiefe | Bis zu 500nm (abhängig von Periode und Gittertyp) |
Aktive Fläche | Abhängig von Periode und Gittertyp |
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Kundenspezifische Gitter
Verschiedene Dielektrika (SiO2, HfO2, Ta2O5) auf Silizium oder Quarz mit Gitterstrukturierung | ![]() |
Beschichtung auf dem Gitter zur Erhöhung der Beugungseffizienz | ![]() |
Antireflexionsschicht für Galvanoabformung | ![]() |
Gitter mit hohem Aspektverhältnis | ![]() |
Mix and match zwischen Interferenzlithographie und Elektronenstrahllithographie | ![]() |
SiN Spacer Prozess für sub 10nm IL Strukturen | ![]() |
Dienstleistungen
- Defektuntersuchung KLA 2139 für strukturierte Substrate
- REM- und AFM-Untersuchung
- Absolute Periodenmessung mittels Beugungsmessplatz