GEphen

Die Qualität von Graphen ist entscheidend für die Industrialisierung CMOS-integrierter photonischer Bauelemente. Bisher genutzte Kupfer-Substrate führen zu polykristallinem Graphen mit Defekten wie Falten und Doppelschichten. Zudem ist die Ablösung vom Substrat problematisch.

GEphen erforscht daher das Wachstum von defektarmem Graphen direkt auf CMOS-kompatiblem Germanium. Erste erfolgreiche Experimente auf 200 mm-Wafern mit der MOCVD-Anlage Black Magic von AIXTRON bilden die Grundlage.

Ziel ist die Entwicklung industriell kompatibler Prozesse für die Integration in photonische Strukturen der Black Semiconductor GmbH. AIXTRON passt dafür die Anlagenstruktur an und entwickelt geeignete Wachstumsprozesse. AMO GmbH übernimmt die Charakterisierung der Schichten und die Entwicklung der Herstellungsprozesse zur Systemintegration.

Zusätzlich erforscht AMO eine Technologie zur Herstellung integrierter photonischer Schaltkreise direkt in Germanium.