01.01.2026 — 31.12.2028
LEIA
Next Level Epitaxie für Datenkommunikation mit CMOS-integrierbarer Aluminiumnitrid Nanophotonik
Förderer Funding Agency: EFRE NRW
Förderkennzeichen Grant ID: EFRE-20801889
Inhalt des Projekts LEIA ist die Erforschung einer innovativen Depositionsmethode für integrierte Wellenleiter, die die Verschmelzung von CMOS-Elektronik (CMOS = Complementary metal-oxide-semiconductor, dt. Halbleiterelement für elektronische Bauteile) und Photonik (Wissenschaftszweig, der Wechselwirkung von Licht und Materie erforscht) ermöglicht. Dadurch sollen Datenraten und Energieeffizienz von Transceivern (Kombination aus Transmitter (Sender) und Receiver (Empfänger)) in der Informations- und Kommunikationstechnologie (IKT) deutlich verbessert und ein großer Markt erschlossen werden. Das Vorhaben wird in Aachen umgesetzt.



