Forschung
Highlights der Graphenelektronik Gruppe
Eine Auswahl der wichtigsten Ergebnisse der Graphenelektronik-Gruppe von AMO.
2022
Demonstration einer effektiven Methode zur Erhöhung der Stabilität von zweidimensionalen Transistoren
Improving stability in two-dimensional transistors with amorphous gate oxides by Fermi-level tuning
T. Knobloch, B. Uzlu, Y. Yu. I.llarionov, Z. Wang, M. Otto, L. Filipovic, M. Waltl, D. Neumaier, M. C. Lemme, and T. Grasser
Nature Electronics 5, 356–366 (2022).2021
Demonstration eines neuartigen flexiblen Energie-Harvesters
Terahertz Rectennas on Flexible Substrates Based on One-Dimensional Metal–Insulator–Graphene Diodes
A. Hemmetter, X. Yang, Z. Wang, M. Otto, B. Uzlu, M. Andree, U. Pfeiffer, A. Vorobiev, J. Stake, M. C. Lemme, and D. Neumaier
ACS Appl. Electron. Mater. 2021, 3, 9, 3747–37532020
Demonstration von nichtflüchtigen Widerstandsschaltern in nanokristallinem Molybdändisulfid
Nonvolatile Resistive Switching in Nanocrystalline Molybdenum Disulfide with Ion‐Based Plasticity
M. Belete, S. Kataria, A. Turfanda, S. Vaziri, T. Wahlbrink, O. Engström, M. C. Lemme
Adv. Electron. Mater. 2020, 1900892.2018
Herstellung eines ultrasensitiven Drucksensors
Highly Sensitive Electromechanical Piezoresistive Pressure Sensors Based on Large-Area Layered PtSe2 Films
S. Wagner, C. Yim, N. McEvoy, S. Kataria, V. Yokaribas, A. Kuc, S. Pindl, C.-P. Fritzen, T. Heine, G. S. Duesberg, and M. C. Lemme
Nano Letters 18, 3738 (2018).2017
Realizirung eines Wellenleiter-integrierten variablen Dämpfungsgliedes für 850 nm Licht
Graphene based on-chip variable optical attenuator operating at 855 nm wavelength
Mohsin, D. Schall, M. Otto, B. Chmielak, C. Porschatis, J. Bolten, and D. Neumaier
Optics Express 25, 31660 (2017).2015
Herstellung des derzeit empfindlichsten Hall-Sensors
Ultra-sensitive Hall sensors based on graphene encapsulated in hexagonal boron nitride
J. Dauber, A. A. Sagade, M. Oellers, K. Watanabe, T. Taniguchi, D. Neumaier, and C. Stampfer
Appl. Phys. Lett. 106, 193501 (2015).2014
Herstellung eines ultraschneller Photodetektors auf einer Silizium-Photonik Plattform
50 GBit/s photodetectors based on wafer-scale graphene for integrated silicon photonic communication systems
D. Schall, D. Neumaier, M. Mohsin, B. Chmielak, J. Bolten, C. Porschatis, A. Prinzen, C. Matheisen, W. Kuebart, B. Junginger, W. Templ, A. L. Giesecke, and H. Kurz
ACS Photonics 1, 781 (2014).2007
Herstellung des ersten Graphen-Transitors
A Graphene Field-Effect Device
M. C. Lemme, T. J. Echtermeyer, M. Baus and H. Kurz
IEEE Electron Device Letters, 28, 282 (2007).
