Reinraumtechnologie

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Reinraumtechnologie

Nanolab AMICA

AMO’s hochflexibler Reinraum der Klasse 10 bis 1000, das Nanolab AMICA, ist mit modernen Lithographie- und Prozessanlagen zur Strukturübertragung auf der Nanometerskala ausgestattet. Sie bilden das Rückgrat für die Realisierung der Nanostrukturen in verschiedensten Materialien, die erforderlich sind, um die Potentiale der Nanotechnologie auszuloten. Mit hochentwickelten Produktionsanlagen für die Halbleitertechnologie können wir den Anforderungen einer hochwertigen Nanofabrikation, einem schnellen Prozesswechsel und unkonventionellen Lösungen gerecht werden.

Reinraum Dienstleistungen

Alle hier beschriebenen Anlagen stehen Kunden und Partnern im Rahmen unserer Dienstleistungen zur Verfügung. Bitte nehmen Sie direkt mit uns Kontakt auf, wenn Sie an einem konkreten Angebot für eine kundenspezifische Lösung interessiert sind. Durch die Kombination aller notwendigen Anlage und Prozesse können wir Ihre spezifischen Anforderungen erfüllen.

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Anlagen und Prozesse

LithographieÄtzanlagenDepositionOfenprozesseNass ChemieCharakterisierung
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Elektronenstrahl-Lithographie

  • Raith EBPG 5200 e-beam System:50/100 kV: Einzellinienauflösung ~10 nm, dichte Linienauflösung ~25 nm, Overlay bis zu ~10 nm, abhängig von Markern, Substrat und Resist; bis zu 8″ Wafer
  • New Ultra-high Resolution E-Beam Lithography, Imagine and Nanoengineering System, Substrat: 6inch, Resolution: 10nm, Acceleration voltage: 20kV

Photolithographie

  • Halbautomatischer Mask Aligner / EVG – 420: 2 μm Auflösung, 6″-Wafer
  • i-Line Stepper / Canon – FPA 3000 i5+: 0,5 μm Auflösung, nur 6″-Wafer
  • Automatischer Resist Coater und Entwickler / EVG – 150: AZ MiR701, Primer, AZ5214E, 8″-Wafer
  • Automatischer Resist Coater und Entwickler / SÜSS MicroTec – RCD8 – dediziert für Imprint und IL-Resists, 8″-Wafer
  • Lithographiesystem /SÜSS MicroTec – MA8 Gen3: 2″- 8″ Wafer

Interferenz-Lithographie

  • Interferenz-Lithographie-System: 180 nm – 2,5 μm Pitch; stitchingfreie Gitter, 8″-Wafer

Nanoimprint-Lithographie (NIL)

  • SCIL UV-Nanoimprint-Lithographiesystem /SÜSS MicroTec – MA8 Gen3: 2″- 8″ Wafer

Ätzanlagen

  • Plasmaunterstütztes Reaktives Ionenätzen (ICP-RIE) / Oxford Instrumente – PlasmaLab System 100, ICP-RIE: automatisches System; hauptsächlich Chlor- und brombasierte Chemie; Prozessgase: HBr, Cl₂, CHF₃, O₂, N₂, Ar, 6″ Wafer
  • ICP-RIE/ Oxford Instrumente – PlasmaLab System 100: automatisches 2-System; hauptsächlich Chlor- und brombasierte Chemie; Prozessgase: HBr, BCl₃, Cl₂, C₄F₈, CHF₃, CF₄, SF₆, O₂, N₂, Ar, He, 6″-Wafer
  • ICP-RIE/ Oxford Instrumente – PlasmaLab System 100:  automatisches System; hauptsächlich Fluor-basierte
    Chemie; Prozessgase: HBr, BCl₃, Cl₂, C₄F₈, CHF₃, CF₄, SF₆, O₂, N₂, Ar, He, 8″ Wafer
  • Plasmaätzer / Tepla – Semi 300: Batch und Einzelwaferprozessierung; O₂- und CF₄-Verfahren, 6″-Wafer

Dünnschichtabscheidung

  • Sputtersystem – Creavac Creamet500s: Einzelwafer System, DC und RF; Materialien: Au, Ti, TiN, Al, AlSi, SiO₂, Al₂O₃, usw.; Prozessgase: Ar, N₂, O₂, 8″-Wafer
  • E-Beam und Widerstandsverdampfer / FHR Star 200 EVA, Einzelwafer-System; Materialien: Au, Ti, TiN, Al, AlSi, SiO₂, Al₂O₃, usw.; Prozessgase: N₂, 8″-Wafer
  • Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) / Oxford-Instruments: Abscheidung von Graphen/Graphit; bis zu 200 mm; plasmagestützt (bis zu 850 °C, bis zu 3000 W) oder thermisch (bis zu 1200 °C); Prozessgase: Ar, H₂, O₂, CH₄, 8″-Wafer
  • New PlasmaPro 100 Nanofab (PECVD), Substrat: 8inch, Material: NCG

Atomlagenabscheidung

  • ALD / Oxford Instruments – FlexAL, Prozess: Al₂O₃, AlN, TiO₂, TiN, 8″ Wafer
  • ALD / Oxford-Instruments – Atomfab, Prozess: Al₂O₃, AlN, 8″-Wafer
  • New PlasmaPro ASP (ALD), Substrat: 8inch, Material: Al2O3

Ofenanlagen

  • Trocken-Oxidationsofen / Centrotherm: 850-1050°C, Schichtdicken bis zu 300 nm, bis zu 200×6″ oder bis zu 150×8″ Wafer pro Run;
  • Nass-Oxidationsofen / Centrotherm: 1000-1050°C, Schichticken bis zu 3 μm, bis zu 200×6″ oder bis zu 150×8″ Wafer pro Run;
  • LP CVD Ofen/ Centrotherm: Stochiometrisches Siliziumnitrid (Si3N4); 770°C; SiH2Cl2 und NH3 Prozess; bis zu 500 nm; bis zu 25 Wafer pro Run; Probengröße bis 15cm x15cm und 6“
  • LP CVD Ofen/ Centrotherm, LTO (Niedertemp. SiO2); 425 °C; SiH4– und O2-Prozess; bis zu 500 nm, bis zu 25 Wafer pro Lauf; 9 Proben (max. 2×2 cm)
  • LP CVD Ofen /Centrotherm: Polysilizium; 620°C; SiH4-Prozess; bis zu 500 nm, bis zu 25 Wafer pro Lauf

Annealing

  • Rapid Thermal Annealing / Jipelec – JetFirst: bis zu 1100°C; Prozessgase: H2, N2, Ar, bis zu 6″ wafer
  • Annealing Ofen/ Centrotherm – Verticoo Mini: Annealing bei 300-850°C in Formiergasatmosphäre; Prozessgase: N2, N2/H2

Nass Chemie

  • Nassbank für Imprint-Prozesse / Arias: Nassbank, Einzelwafer, Batch und Proben; Reinigungs- und Resistprozesse, bis 8″-Wafer
  • Lithographie-Nassbank / Arias: Einzelwafer, Batch und Proben; Reinigung und Resistprozesse, bis 8″-Wafer
  • Standardreinigung / Arias: Einzelwafer und Batch; Reinigungsprozesse, bis 8″-Wafer

Charakterisierung

  • Rasterelektronenmikroskop / ZEISS – Supra 60VP: 8″ Wafer
  • Ellipsometer / Philips – PQ Ruby: Wellenlängen: 632, 1301 und 1541 nm; automatisierte Mappings, 8″-Wafer
  • Spektrales Ellipsometer / J.A. Woollam: Wellenlängen: UV-Vis; Einzelwafe Verarbeitung, 6″-Wafer
  • Optisches Mikroskop / Leica – INM 100: Bildaufnahme, 6″-Wafer
  • Optisches Mikroskop / Leica – INM 300: Bildaufnahme, 8″-Wafer
  • Rasterkraftmikroskop / Veeco – Dimension 3100: Hochauflösendes STM, AFM, MFM; 6″-Wafer
  • Rasterkraftmikroskop / Bruker Icon: AFM, Scanbereich: (100×100) μm² bis zu (500×500) nm² (empfohlen); bis zu 1024 Pixel; Oberflächen Topographie-Scan; elektrische Messungen; leitfähige Messungen; KPFM; magnetische Messungen; spezielle Anwendungen erfordern spezielle Proben; 8″ Wafer
  • Spektrometer / Bruker – Lambda 1050, Spektralbereich Bereich: 200 – 2500 nm, Transmission und Reflektanz, max. 10×10 cm², min 3×3 cm² (2×2 cm² möglich mit Halter), 10×10 cm²
  • Raman-Spektroskopiesystem / Horiba, 3 Wellenlängen 532 nm, 633 nm, 785 nm, 50x 100x Objektive, konfokaler Aufbau, Einzelpunkte, 2D, 3D, 6″ Wafer
  • Surface Profiler / Veeco – DekTak³ST, z-Auflösung~20nm, vertikaler Bereich 100A-1310kA,
  • Halbautomatische Electrical Probe Station / Cascade Microtech, Agilent, Cascade Microtech: High-End-Parameteranalysator für Tests von DC-Nanoelektronik-Bauelementen mit kleinen Signalen; Agilent Precision Impedance Analyzer (4294A); Agilent Semiconductor Parameter Analyzer (4156B); Agilent pA-Meter (4140B); Agilent Precision LCR-Meter (4284A); Heizstufe bis 300 °C, 8″ Wafer
  • Lakeshore CRX-6.5 Sondenstation, Temperaturbereich 6K-350K, 3 und 4 DC-Sondennadeln, 2″-Wafer
  • Lakeshore CRX-6.5 Sondenstation, Temperaturbereich 10K-650K, 3 DC Sondennadeln, optische Faser, 2″ Wafer
  • Optischer Messaufbau: Testen von Silizium-Photonik Bauelementen; @1300 nm und 1550 nm; abstimmbarer Laser; Faser stumpf gekoppelt, 8″ Wafer
  • RF-Labor: Testen elektrooptischer Bauelemente; DC und RF, 8″-Wafer