AMO

Stabilität für die Zukunft zweidimensionaler Transistoren

Stabilität – im Sinne eines stabilen Betriebs über die gesamte Lebensdauer – ist eine der wichtigsten Eigenschaften, die ein elektronisches Bauelement aufweisen muss, um für Anwendungen geeignet zu sein. Und sie ist die Achillesferse von Transistoren auf Basis zweidimensionaler Materialien, die typischerweise eine viel schlechtere Stabilität aufweisen als Bauelemente auf Siliziumbasis. Ein Team von Forschern der TU Wien, der AMO GmbH, der RWTH Aachen und der Bergischen Universität Wuppertal hat nun einen neuartigen technischen Ansatz zur Verbesserung der elektrischen Stabilität von zweidimensionalen Transistoren durch eine sorgfältige Abstimmung der Fermi-Energie vorgestellt. Die Ergebnisse wurden in Nature Electronics veröffentlicht. [weiterlesen »]

Ein neues Paradigma für THz-Energiesammler auf der Grundlage von Graphen

Zukunftsweisende Konzepte wie Wearable Electronics und das Internet der Dinge treiben die Suche nach Low-Power-Elektronik und Energy Harvesting auf Bauelement- oder Chip-Ebene voran. Forscher der AMO GmbH, der RWTH Aachen, der Chalmers University und der Bergischen Universität Wuppertal haben nun einen neuartigen flexiblen Energy Harvester entwickelt, der gute Aussichten für die Stromversorgung von tragbaren und konformen Geräten bietet. [weiterlesen »]

Eine clevere Art, Graphen zu schützen

In den letzten zehn Jahren der Graphen-Forschung ist deutlich geworden, dass die Oberfläche von Graphen vor äußeren Verunreinigungen geschützt werden muss, um seine außergewöhnlichen elektronischen Eigenschaften zu erhalten und sie für neuartige Bauelemente nutzen zu können. Die Abscheidung von dielektrischen Materialien auf Graphen ist daher ein wesentlicher Schritt bei der Herstellung von elektronischen und photonischen Bauelementen auf Graphenbasis. [weiterlesen »]

Ein skalierbares Verfahren für die großflächige Integration von 2D-Materialien

Zweidimensionale (2D-)Materialien haben ein enormes Potenzial, Bauelemente mit deutlich geringerer Größe und erweiterten Funktionalitäten im Vergleich zu den heutigen Siliziumtechnologien zu ermöglichen. Um dieses Potenzial auszuschöpfen, müssen wir jedoch in der Lage sein, 2D-Materialien in Halbleiterfertigungslinien zu integrieren – ein notorisch schwieriger Schritt. Ein Team von Forschern aus Schweden und Deutschland berichtet nun über eine neue Methode, mit der dies gelingen kann. [weiterlesen »]

Isolatoren für 2D-Nanoelektronik: die zu überbrückende Lücke

Ein Übersichtsartikel über eines der heikelsten Themen der zukünftigen Elektronik auf der Grundlage von 2D-Materialien

Ein Team von Wissenschaftlern unter der Leitung von Tibor Grasser und Yuri Illarionov von der TU Wien, darunter der RWTH-Professor und AMO-Direktor Max Lemme, hat einen ausführlichen Review über die aktuelle Suche nach geeigneten Isolatoren für zweidimensionale (2D) Nanoelektronik in Nature Communications veröffentlicht.

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Ein CMOS-kompatibles plasmo-photonisches Mach-Zehnder-Interferometer

Forscher der AMO GmbH und Kollegen aus dem Projekt PLASMOfab haben ein CMOS-kompatibles plasmo-photonisches Mach-Zehnder-Interferometer auf der Basis von Aluminium- und Si3N4-Wellenleitern demonstriert.

Schematische Darstellung des plasmo-photonischen Mach-Zender-Interferometers
Schematische Darstellung des plasmo-photonischen Mach-Zender-Interferometers

Die Bulk-Empfindlichkeit des Geräts ist die höchste unter allen plasmo-photonischen Gegenstücken (4764 nm/RIU) und konnte durch Optimierung der Designparameter des Interferometers weiter gesteigert werden. Darüber hinaus entspricht das Gerät den CMOS-Fertigungsstandards, wodurch es für die Serienfertigung geeignet ist.

Dieses Ergebnis wurde auf Optics Express veröffentlicht und ist Teil der größeren Anstrengungen des PLASMOfab-Projekts zur Entwicklung CMOS-kompatibler Plasmonen in einem generischen planaren Integrationsprozess als Mittel zur Konsolidierung der photonischen und elektronischen Integration.

Bibliographische Angaben:
“Ultra-sensitive refractive index sensor using CMOS plasmonic transducers on silicon photonic interferometric platform”
A. Manolis, E. Chatzianagnostou, G. Dabos, D. Ketzaki, B. Chmielak, A. L. Giesecke, C. Porschatis, P. J. Cegielski, S. Suckow, L. Markey, J.-C. Weeber, A. Dereux, S. Schrittwieser, R. Heer, N. Pleros, and D. Tsiokos, Opt. Express 28, 20992-21001 (2020).
https://doi.org/10.1364/OE.383435

Kontakt
Dr. Anna Lena Giesecke
giesecke@amo.de

Eine skalierbare Fertigungstechnologie für hochempfindliche Photodetektoren auf flexiblen Substraten

Forscher der AMO GmbH und der RWTH Aachen haben mit einer skalierbaren Fertigungstechnologie erfolgreich Molybdändisulfid (MoS2)-Fotodetektoren mit hoher Empfindlichkeit/Detektivität auf flexiblen Substraten demonstriert. Die Arbeit wurde kürzlich in der Zeitschrift ACS Photonics veröffentlicht und ist das Ergebnis einer Kooperation mit der Universität Siegen, Raith B.V., AIXTRON SE und der Universität Wuppertal.

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