Erste Demonstration eines CMOS-Inverters auf Basis von TMDC auf einem flexiblen Substrat
Agata Piacentini und Kollegen haben den ersten Übergangsmetall-Dichalcogenid (TMDC)-basierten CMOS-Inverter auf einem flexiblen Substrat demonstriert, der zwei verschiedene TMDC-Materialien, MoS2 und WSe2, verwendet. Das Team hat erfolgreich NMOS FETs basierend auf CVD MoS2 und PMOS FETs basierend auf MOCVD WSe2 auf einem flexiblen Foliensubstrat hergestellt. Die FETs zeigten nahezu spiegelsymmetrische Übertragungseigenschaften, wie sie für die […]