Sputteraluminiumnitrid-Wellenleiter erreichen niedrigste Ausbreitungsdämpfung im Telekommunikationsspektrum
Eine Kooperation zwischen der AMO GmbH und dem Fraunhofer IAF zeigt das Potenzial von sputterbeschichtetem Aluminiumnitrid für photonische Anwendungen im Telekommunikationsspektrum. Aluminiumnitrid (AlN) entwickelt sich zu einem hervorragenden Material für photonische Wellenleiteranwendungen. Die besten Ergebnisse wurden bisher mit AlN erzielt, das durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) gewachsen wurde, während gesputtertes AlN bisher mit höheren optischen […]